場(chǎng)效應(yīng)晶體管類型
有許多方法可以定義可用的不同類型的MOSFET。它們可以通過(guò)多種方式進(jìn)行分類，但下面的樹形圖中可以介紹一些主要類型的MOSFET。
MOSFET的類型圖
市場(chǎng)上有許多不同類型的FET，其中有各種名稱。一些主要類別延遲到低于。
• 結(jié)FET，JFET： 結(jié)FET或JFET使用反向偏置二極管結(jié)來(lái)提供柵極連接。基本上，在溝道半導(dǎo)體上制造小二極管。在操作中，這是反向偏置的，這意味著它與通道有效隔離 - 只有二極管反向電流可以在兩者之間流動(dòng)。JFET是最基本的FET類型，也是最初開發(fā)的MOSFET。然而，它仍然在許多電子領(lǐng)域提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
• 絕緣柵FET /金屬氧化硅FET FET MOSFET： 這種FET在柵極和溝道之間使用絕緣層。通常，這由半導(dǎo)體的氧化物層形成。名稱IGFET指的是具有絕緣柵極的任何類型的FET。最常見的IGFET形式是硅MOSFET - 金屬氧化物硅FET。這里，柵極由設(shè)置在氧化硅上的金屬層制成，該金屬層又位于硅溝道上。
• 雙柵極MOSFET： 這是一種特殊形式的MOSFET，沿溝道具有兩個(gè)串聯(lián)的柵極。與單柵器件相比，這使得能夠進(jìn)行一些顯著的性能改進(jìn)，特別是在RF時(shí)。第二個(gè)門在輸入和輸出之間提供額外的隔離，除此之外，它還可以用于混合/乘法等應(yīng)用。
雙柵極MOSFET
• MESFET：MEtal硅FET通常使用砷化鎵制造，通常稱為GaAs FET。GaAsFET通常用于RF應(yīng)用，它們可以提供高增益低噪聲性能。GaAsFET技術(shù)的一個(gè)缺點(diǎn)是非常小的柵極結(jié)構(gòu)，這使得它對(duì)靜電ESD的損壞非常敏感。處理這些設(shè)備時(shí)必須非常小心。
• HEMT / PHEMT：高電子遷移率晶體管和假晶高電子遷移率晶體管是基本FET概念的發(fā)展，但開發(fā)用于實(shí)現(xiàn)非常高頻率的操作。雖然價(jià)格昂貴，但它們可以實(shí)現(xiàn)非常高的頻率和高水平的性能。
• FinFET：FinFET技術(shù)現(xiàn)在正在集成電路中使用，通過(guò)允許更小的特征尺寸實(shí)現(xiàn)更高水平的集成。由于需要更高的密度水平并且越來(lái)越難以實(shí)現(xiàn)更小的特征尺寸，因此更廣泛地使用FinFET技術(shù)。
• VMOS：垂直MOS的VMOS標(biāo)準(zhǔn)。它是一種使用垂直電流來(lái)改善開關(guān)和載流性能的FET。VMOSFET廣泛用于電源應(yīng)用。
盡管在文獻(xiàn)中可以看到一些其他類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，但是這些類型通常是特定技術(shù)的商品名，并且它們是上面列出的一些FET類型的變體。
MOSFET規(guī)格
除了為任何給定電路選擇特定類型的MOSFET之外，還必須了解不同的規(guī)范。通過(guò)這種方式，可以確保MOSFET將工作到所需的性能參數(shù)。
MOSFET規(guī)范包括從允許的最大電壓和電流到電容水平和跨導(dǎo)的所有內(nèi)容。這些都在確定任何特定MOSFET是否適合給定電路或應(yīng)用中起作用。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)可以用于雙極晶體管不適合的許多領(lǐng)域：每種都有其自身的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，并且可以在許多電路中用于很好的效果。場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有非常高的輸入阻抗，并且是電壓驅(qū)動(dòng)器件，這使其可以在許多領(lǐng)域中使用。
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