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      6. 二極管規格書中的常用性能參數與中英文說明
        • 發布時間:2020-04-24 17:07:42
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        二極管規格書中的常用性能參數與中英文說明
        二極管是最簡單的半導體器件,也是大多數電子產品BOM清單中的基礎元器件之一。雖然購買二極管之前,用戶已經知道這些二極管的具體用法,閱讀廠商提供的二極管數據表,可以了解更多的二極管參數和應用信息,讓自己的設計方案更完美。
        但是,目前市場上的半導體器件,無論是集成電路芯片,還是二極管、三極管、MOS管,廠家所提供的數據表(datasheet)全部是英文。以下列出了一些常見的二極管參數,依次為參數、英文說明、中文說明:
        二極管規格書
        αVF:Temperature coefficient of forward voltage,正向壓降的溫度系數    
        Cj:Junction Capacitance,結電容  
        ηV:Rectification Efficiency,整流效率
        dv/dt:critical rate of rise of off-state voltage,斷態電壓臨界上升率 
        di/dt:critical rate of rise of on-state current,通態電流臨界上升率  
        I(AV):Average Forward Rectified Current,正向平均整流電流    
        ID:Stand-off Reverse Leakage Current,關態反向漏電流  
        IFSM:Peak Forward Surge Current,正向浪涌峰值電流  
        IF(AV):foreard current,正向平均電流(整流管)
        If:DC Forward Current,正向直流電流 
        IGT:gate trigger current,門極觸發電流 
        ITSM:Non Repetitive Surge Peak on-state Current,不重復浪涌峰值開態電流 
        IDM:Maximum Reverse Leakage,最大反向漏電流  
        IDRM:repetitive peak of-state current,斷態重復峰值電流
        IFM:peak forward current (of diode),正向峰值電流(整流管)  
        IFRM:Repetitive Peak Forward Current,正向重復峰值電流  
        IH:Holding Current,維持電流  
        IO:Mean Forward Current,正向平均電流  
        IR:Reverse Leakage Current,反向漏電流  
        Irr:Reverse Recovery Current,反向恢復電流  
        IPPM:Maximum peak lmpulse Current,最大脈沖峰值電流  
        IRM:Maximum peak Reverse Current,最大峰值反向電流  
        IRM(REC):Maximum peak Reverse recovery Current,最大峰值反向恢復電流 
        IRMS:R.M.S. on-state current,通態方均根電流   
        IRRM:repetitive peak reverse current,反向重復峰值電流 
        IRSM:Maximum Non-repetitive recovery Peak Current,最大峰值反向恢復電流 
        IT:On-state Test Current,導通測試電流 
        IT(AV):on-state current,通態平均電流  
        ITM:peak on-state current,通態峰值電流 
        ITSM:surge on-state current,通態浪涌電流 
        PD:Power Dissipation,功功率損耗
        PM(AV):Maximum Steady State Power Dissipation,最大穩態功耗  
        PPM:Peak Pulse Power Dissipation,峰值脈沖功耗  
        Ptot:Total Power Dissipation,總功耗 
        Qrr:reverse recovery charge,反向恢復電荷  
        Rjc:junction-case thermal resistance,結殼熱阻 
        ROJA:Thermal Resistance (Junction to Ambient),熱阻(結到環境)  
        ROJC:Thermal Resistance(Junction to Case ),熱阻(結到管殼)  
        ROJL:Thermal Resistance(Junction to Lead ),熱阻(結到引線) 
        二極管規格書
        TA:Ambient Temperature,環境溫度  
        TC:Case Temperature,管殼溫度  
        td:Time Duration,持續時間  
        tf:Fall Time,下降時間  
        tfr:Forward Recovery Time,正向恢復時間  
        tgt:gate controlled turn-on time,門極控制開通時間 
        Tj:Junction Temperature,結溫 
        Tjm:maximum virtual junction temperature,最高等效結溫 
        TL:Lead Temperature,引線溫度
        ton:turn on time,開通時間
        tq:cricuit commutated turn-off time,電路換向關斷時間      
        tr:Rise Time,上升時間  
        trr:reverse recovery time (of diode) ,(二極管的)反向恢復時間 
        ts:storage time,存儲時間   
        TSTG: Storage Temperature,存儲溫度 
        VBO:Breakover Voltage,轉折電壓  
        V(BR):Reverse Breakdown Voltage,反向擊穿電壓  
        VDC,VR DC Reverse Voltage,反向直流電流
        VDSM:non-repetitive peak off-state voltage,斷態不重復峰值電壓 
        VDRM:repetitive peak off-state voltage,斷態重復峰值電壓 
        VF:Instantaneous Forward Voltage,正向瞬態電壓  
        VFM:peak forward voltage (of diode),正向峰值電壓(整流管) 
        VFR:Forward Recovery Voltage,正向恢復電壓 
        VGT:gate trigger voltage,門極觸發電壓 
        VRM:Maximum Reverse Paek Reverse Voltage,最大重復峰值反向電壓 
        VRMS:RMS Input Voltage,均方根輸入電壓  
        VRRM:Peak Repetitive Reverse Voltage,反向重復峰值電壓  
        VRSM:non-repetitive peak reverse voltage,反向不重復峰值電壓
        VTM:peak on-state voltage,通態峰值電壓 
        VWM:Working Peak Reverse Voltage,反向工作峰值電壓  
        VC:Clamping Voltage,箝位電壓  
        VWM:Working Stand-off Voltage,關態工作電壓  
        VZ:Zener Voltage,齊納電壓  
        ZZ:Dynamia Zener Impedance,動態齊納阻抗  
        以烜芯微科技生產的BZT52C18穩壓二極管為例,該通用的中等電流貼片二極管采用SOD-123封裝,最大功耗(PD)為350mW,導通電壓(VF@IF=10mA)為0.9V,熱阻(ROJA)為357°C/W,結溫(TJ)為150°C,存儲溫度(TSTG)為-55~+150°C,其他參數用戶可以從數據表中的圖表及特性曲線查找。
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