本文介紹了數(shù)字晶體管（Digital Transistor）選定方法，電流放大倍數(shù)GI和hFE的區(qū)別，以及溫度特性和輸出電壓-輸出電流特性。
數(shù)字晶體管的工作原理
根據(jù)數(shù)字晶體管工作原理，使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1，輸入電阻R1是±30%，E-B間的電阻R2/R1=±20%，VBE一般為0.55-0.75V。
如果作為開(kāi)關(guān)使用，需要飽和狀態(tài)的電流比率IC/IB=20/1。
在數(shù)字晶體管中，IO和IC是有區(qū)別的。其中：IC表示能夠通過(guò)晶體管的電流的最大理論值，IO表示能夠作為數(shù)字晶體管使用的電流的最大值。
數(shù)字晶體管IO和IC電路的區(qū)別
以ROHM公司的DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個(gè)別晶體管能流過(guò)100mA電流，用IC=100mA定義。如果這些晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。
這些數(shù)字晶體管流過(guò)IC=100mA時(shí)，基極電流IB需要相對(duì)應(yīng)的電流値，其結(jié)果需要高的輸入電壓VIN。
根據(jù)絕對(duì)最大額定值限制，由輸入電阻R1的功率許容值（封裝功率）決定輸入電壓VIN(max)。電流IC=100mA流過(guò)時(shí)，可能超過(guò)這個(gè)額定值，在不超過(guò)VIN(max)條件下，數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。
所以，絕對(duì)最大額定值被定義為“不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上”，僅用IC標(biāo)記沒(méi)有問(wèn)題，但結(jié)合客戶(hù)實(shí)際使用狀態(tài)，合并標(biāo)記為IO。因此，電路設(shè)計(jì)探討中此IO即為絕對(duì)最大額定值。
可見(jiàn)，數(shù)字晶體管與普通晶體管相比，只是增加了一個(gè)R1，或兩個(gè)偏壓電阻（R1和R2）。
GI和hFE的區(qū)別
按照定義，hFE是晶體管的直流電流放大倍數(shù)，GI是數(shù)字晶體管的直流電流放大倍數(shù)。
數(shù)字晶體管電阻器鏈接電路圖
雖然GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率，由于數(shù)字晶體管在普通晶體管上連接了2個(gè)電阻器，放大倍數(shù)不因輸入電阻R1而下降。在僅有輸入電阻R1時(shí)，放大倍數(shù)表示為hFE，與普通晶體管hFE相等。
如果在E-B間附加了一個(gè)電阻器R2，輸入電流則分為流過(guò)普通晶體管的電流和流過(guò)E-B間電阻R2的電流。此時(shí)，放大倍數(shù)比單體時(shí)的hFE有所下降，此值稱(chēng)為GI表示數(shù)字晶體管的放大倍數(shù)。
也就是說(shuō)，數(shù)字晶體管將電路圖中常見(jiàn)的兩個(gè)電阻器R1、R2從PCB線路板上移植到了晶體管封裝內(nèi)，形成一個(gè)簡(jiǎn)單的混合集成電路，使晶體管的輸出線性更好、工作狀態(tài)更穩(wěn)定，還節(jié)省了PCB空間。
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