場效應管和可控硅驅動電路是有本質上的差異，首要場效應管通常分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管，可控硅通常分為單向可控硅和雙向可控硅（可控硅也叫晶閘管，可分單向晶閘管和雙向晶閘管），其間絕緣柵型場效應管也叫MOS管（有一種場效應管、三極管混合的器材叫IGBT俗稱門控管，該器材的驅動電路與場效應管的驅動電路簡直一樣），這種驅動歸于電壓驅動，在大多運用在功率輸出、電力改換等場合，懇求最佳選用PWM（脈寬調制）信號來操控，其輸入到柵極的方波上升沿懇求峻峭（也稱圖騰柱輸出），并且要有必定的瞬態(tài)驅動才干（因為場效應管的柵極等效一個電容，當驅動信號的瞬態(tài)功率不行時，其正本的波形將被改動，通常等效為一個積分器），懇求導通時，其柵極電壓要有對于源極高10-20V擺布，典型值15V，而關斷時為了確保場效應管關斷牢靠，該電壓此刻應當為-15V，在實習運用中為了減小場效應管的功耗過大或避免其損壞通常要加如過流維護和有關吸收電路，并且盡量做參與效應管的作業(yè)頻率與負載的諧振頻率一樣，典型運用即是電磁爐，流過爐盤（加熱線圈）的電流與流過吸收電容的電流各自盡管都很大，但相位紛歧樣，彼此抵消，經疊加后的總電流較小，即流過場效應管（實習用IGBT）的電流較小。下圖為場效應管的典型驅動電路：
而可控硅屬電流驅動，因為他等效于兩個三極管構成正反響拓展，當有一個觸發(fā)信號后，因為健旺的正反響效果，使之一導游通，當柵極電壓高于陽極電壓或許陽極、陰極電壓差小于必定數值時正反響才會失效，即可控硅被復位，通常情況下，其柵極電壓不會高于陽極，所以可控硅歸于不行關斷的半控器材，當觸發(fā)導通時無法經過柵極關斷，而場效應管屬全控器材能夠經過柵極關斷。下圖為可控硅構造及其典型驅動電路：
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