MOSFET特性參數(shù)
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。你了解MOSFET特性參數(shù)嗎？下面讓我們一起來(lái)詳細(xì)了解吧。
1.絕對(duì)最大額定值
任何情況下都不允許超過(guò)的最大值
2.額定電壓
VDSS:漏極(D)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。
VGss :柵極(G)與源極(S)之間所能施加的最大電壓值。
3.額定電流
ID(DC):漏極允許通過(guò)的最大直流電流值
此值受到導(dǎo)通阻抗、封裝和內(nèi)部連線等的制約，TC=25°C (假定 封裝緊貼無(wú)限大散熱板)
ID(Pulse) :漏極允許通過(guò)的最大脈沖電流值
此值還受到脈沖寬度和占空比等的制約
4.額定功耗
PT :芯片所能承受的最大功耗。其測(cè)定條件有以下兩種
TC=25℃的條件...緊接無(wú)限大放熱板，封裝
C: Case的簡(jiǎn)寫,背面溫度為25℃(圖1)
TA=25℃的條件...直立安裝不接散熱板
A: Ambient的簡(jiǎn)寫，環(huán)境溫度為25 C (圖2)
5.額定溫度
Tch : MOSFET的溝道的上限溫度，一般Tch≤150C℃
Tstg : MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的產(chǎn)品，其保存溫度范圍為最低-55℃,最高150℃
6.熱阻
表示熱傳導(dǎo)的難易程度。熱阻值越小，散熱性能越好。如果使用手冊(cè)上沒(méi)有注明熱阻值時(shí)，可根據(jù)額定功耗PT及Tch將其算出。
溝道/封裝之間的熱阻(有散熱板的條件)
7.安全動(dòng)作區(qū)SOA
SOA=Safe Operating Area或AOS=Area of Safe Operating
正偏壓時(shí)的安全動(dòng)作區(qū)
8.抗雪崩能力保證
對(duì)馬達(dá)、線圈等電感性負(fù)載進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，關(guān)斷的瞬間會(huì)有感生電動(dòng)勢(shì)產(chǎn)生。
電路比較
(1)以往產(chǎn)品(無(wú)抗雪崩保證)的電路必須有吸收電路，以保證瞬間峰值電壓不會(huì)超過(guò)VDss。
(2)有抗雪崩能力保證的產(chǎn)品，MOSFET自身可以吸收瞬間峰值電壓而無(wú)需附加吸收電路。
抗雪崩能力保證定義
單發(fā)雪崩電流IAS:下圖中的峰值漏極電流
單發(fā)雪崩能量EAS:一次性雪崩期間所能承受的能量，以Tch≤150℃為極限
連續(xù)雪崩能量EAR:所能承受的反復(fù)出現(xiàn)的雪崩能量，以Tch≤150℃為極限
MOSFET特性參數(shù)：怎樣選擇MOSFET的額定值
器件的額定-電壓值：應(yīng)高于實(shí)際最大電壓值20%；電流值：應(yīng)高于實(shí)際最大電流值20%；功耗值：應(yīng)高于實(shí)際最大功耗的50%，而實(shí)際溝道溫度不應(yīng)超過(guò)-125℃
上述為推薦值。實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮最壞的條件。如溝道溫度Tch從50℃提高到100℃時(shí)，推算故障率降提高20倍。
在MOS管選擇方面，系統(tǒng)請(qǐng)求相關(guān)的幾個(gè)重要參數(shù)是：
1． 負(fù)載電流IL。它直接決議于MOSFET的輸出才能；
2． 輸入—輸出電壓。它受MOSFET負(fù)載占空比才能限制；
3． mos開(kāi)關(guān)頻率FS。這個(gè)參數(shù)影響MOSFET開(kāi)關(guān)霎時(shí)的耗散功率；
4． MOSFET最大允許工作溫度。這要滿足系統(tǒng)指定的牢靠性目的。
MOSFET設(shè)計(jì)選擇：
一旦系統(tǒng)的工作條件（負(fù)載電流，開(kāi)關(guān)頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數(shù)方面的選擇如下：
1 RDSON的值。最低的導(dǎo)通電阻，能夠減小損耗，并讓系統(tǒng)較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。
2 散熱。假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運(yùn)用外表貼裝MOSFET到達(dá)同樣效果。
3 MOSFET組合。假如板上空間允許，有時(shí)分，能夠用兩個(gè)較高RDSON的器件并聯(lián)，以取得相同的工作溫度，并且本錢較低。
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