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      6. 運放的過流保護電路圖解
        • 發布時間:2021-05-28 14:31:05
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        運放的過流保護電路圖解
        對一個成功設計的來說保護電路是至關重要的。我們之前探討了過壓保護電路,這里我們來看看如何用運放打造一個過流保護電路。
        過流保護常用于電源電路中,用于限制電源的輸出電流。“過流”這個詞是指負載上的電流超過了電源的供給限度。這是很危險的情況,而且很可能對電源造成損害。所以工程師們常用過流保護電路來將負載與電源的連接斷開,從而保護兩者。
        使用運放打造過流保護
        過流保護電路有許多種;其復雜程度取決于過流時保護電路的反應速度有過快。這里我們來介紹使用運放打造的過流保護電路,該設計可以輕易加入你的設計中去。
        該設計加入了可調的過流閾值,同時還有失效時自動重啟功能。因為這是一個基于運放的過流保護電路,所以我們加入了運放作為驅動,這里用的是常見的 LM358。下圖為 LM358 的引腳圖。
        運放的過流保護電路
        上圖可以看出,在這個 IC 內有兩個運放通道。然而我們只需要用到其中的一個。運放需要通過 MOSFET 來閉合(斷開)輸出負載。這里我們采用 N 通道的 MOSFET IRF540N。如果負載電流大于 500mA 的話,建議使用合適的 MOSFET 散熱器。以下是 IRF540N 的引腳圖。
        運放的過流保護電路
        為了給運放和電路供電,還用到了 LM7809 線性穩壓器。這是一個 9V 1A 的線性穩壓器,且輸入電壓范圍廣。其引腳圖如下。
        運放的過流保護電路
        所需元器件
        至少 12V 的電源
        LM358
        IRF540N
        100uf/25V 的電容
        散熱器
        50kΩ電位計
        精度 1%的 1kΩ和 100kΩ電阻
        1MΩ電阻
        1Ω分流電阻,額定功率為 2W
        過流保護電路
        過流保護電路的設計思路是這樣的,運放來感知電路是否有過流發生,基于結果我們驅動 MOSFET 來將負載與電源相連 / 斷開。電路圖如下。
        運放的過流保護電路
        過流保護電路的工作原理
        可以從上述電路圖看出,MOSFET IRF540N 在正常與過流情況下控制負載的連接與關斷。但在關閉負載之前,檢測到負載電流很重要。而用于檢測電流的方法就是通過分流電阻 R1,這是一個 1Ω 2W 的分流電阻。其測量電流方法被稱為分流電阻檢流。
        當 MOSFET 導通時,負載電流從 MOSFET 的漏極流向源極,最后通過分流電阻導向 GND。基于負載電流,分流電阻會產生一個壓降,這樣我們可以用歐姆定律來進行計算。假設 1A 的負載電流,則分流電阻上的壓降為 1V,因為 V=I x R。所以將該電壓與使用運放時的預設電壓相比,我們就可以檢測到過流并改變 MOSFET 的狀態,從而切斷負載。
        運放常被用于數學運算,比如加法,減法和乘法等。然而,這個電路中,LM358 的配置為比較器。由圖可知,該比較器會比較兩個值的大小。第一個值是分流電阻間的壓降大小,第二個值是用可調電阻或電位計 RV1 生成的預設電壓(參考電壓)。RV1 的作用是分壓器。分流電阻間的壓降則導入比較器的反向引腳,而參考電壓則連接到比較器的同向引腳。
        正因如此,如果感應電壓小于參考電壓的話,比較器會在輸出生成正電壓(接近比較器的 VCC),反之則為負電壓(接地,所以此處為 0V)。因此電壓足夠控制 MOSFET 的開關。
        處理暫態響應 / 穩定性的問題
        但當大負載與電源斷開連接時,瞬間的改變會在比較器上產生一個線性區間,這會造成一個循環導致比較器無法正常開關負載,且運放會變得不穩定。比如,假設用電位計將 1A 設置為 MOSFET 關斷的閾值。這時,比較器檢測到分流電阻間的壓降為 1.01V,那么比較器會斷開負載。暫態響應提高了參考電壓,迫使比較器在一個線性區間工作。
        解決該問題的最好辦法就是在比較器上使用穩定的電源,這樣瞬態改變不會影響比較器的輸入電壓和參考電壓。不僅如此,比較器上需要加入額外的滯后。在該電路中,我們使用的是線性穩壓器 LM7809 和滯后電阻 R4,100kΩ的電阻。LM7809 位比較器提供了合理的電壓,這樣電源線上的暫態改變不會影響比較器。C1,100uF 電容則用于輸出電壓的濾波。
        滯后電阻 R4 將小部分輸入導入到運放輸出上,從而在低閾值(0.99V)和高閾值(1.01V)間創造了一個電壓差。這樣達到閾值后比較器不會立即改變狀態,不僅如此,要使狀態從高到低,那么檢測電壓應低于低閾值(比如 0.97V 而不是 0.99V),而要從低到高,檢測電壓應高于高閾值(比如 1.03 而不是 1.01)。這會提升比較器的穩定性,并減少錯誤出發的情況。R2 和 R3 則用于控制 MOSFET 柵極,R3 是 MOSFET 柵極下拉電阻。
        設計建議
        輸出端的 RC 緩沖電路可以有效提高 EMI 性能。
        特殊情況下可以使用更大的散熱器及特定的 MOSFET。
        完善的 PCB 板可以提升電路的穩定性。
        分流電阻額定功率需要根據功率定律和負載電流進行調整。
        為了小封裝可以采用 mΩ級的低阻值電阻,但其壓降會變少。為了補償壓降可以增加一個合適增益的放大器。
        如果要提高檢流精度的話,建議使用獨立的檢流放大器。
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