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        MOS管的開(kāi)關(guān)特性知識(shí)詳解
        • 發(fā)布時(shí)間:2021-09-11 15:55:24
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        MOS管的開(kāi)關(guān)特性知識(shí)詳解
        數(shù)字電路中MOS管常被用來(lái)作開(kāi)關(guān)管,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中,根據(jù)構(gòu)成和導(dǎo)通特性可分為四類MOS管:
        MOS管的開(kāi)關(guān)特性
        g被稱為柵極,d為漏極,s為源極,B為襯底,在實(shí)際生產(chǎn)中,襯底與源極相連,所以MOS管一般有三個(gè)極。四類MOS管增強(qiáng)型運(yùn)用較為普遍,下圖是畫(huà)原理圖時(shí)增強(qiáng)型NMOS和PMOS管的符號(hào):
        MOS管的開(kāi)關(guān)特性
        漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(指有線圈負(fù)載的電路,如馬達(dá)),這個(gè)二極管很重要。
        對(duì)于NMOS管,通常源極s接地,只要Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,只要在漏極加上一個(gè)電壓,漏極和源極之間就會(huì)形成電流Id。對(duì)于PMOS管,通常源極接VCC,只要Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,只要在漏極加上一個(gè)電壓,漏極和源極之間就會(huì)形成電流Id。由于PMOS管導(dǎo)通電阻大,價(jià)格貴,替換種類少等原因, NMOS管使用更為普遍。
        MOS管的開(kāi)關(guān)特性
        如上圖所示,當(dāng)Vgs達(dá)到4.5V 時(shí),Vds等于0.5V時(shí)Id等于6安培,漏極和源極間的阻抗只有83毫歐,可以認(rèn)為壓降已經(jīng)很小了。
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