一、引出
開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)。
安全工作區(qū)：SOA（Safe operating area）是由一系列（電壓，電流）坐標點形成的一個二維區(qū)域，開關(guān)器件正常工作時的電壓和電流都不會超過該區(qū)域。簡單的講，只要器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全的，超過這個區(qū)域就存在危險。
二、與SOA有關(guān)的參數(shù)
1、VDS（Drain-source voltage）：漏源電壓標稱值，反應(yīng)的是漏源極能承受的最大的電壓值；
2、IDM（Drain current(pulsed)）：漏源最大單脈沖電流（非重復(fù)脈沖），反應(yīng)的是漏源極可承受的單次脈沖電流強度。
3、Rds(on)：MOS管源極與漏極之間的導(dǎo)通電阻。
三、SOA介紹
如上圖所示就是該MOS的安全工作區(qū)。
最上面的紅色橫線代表了MOS管的最大電流限制IDM，如該MOS管的值為88A。
最右邊的綠色豎線代表了MOS管的最高耐壓值Vds，如該MOS管的值為600V。
左邊的橙色斜線表示，當Vds還很小時，隨著Vds增大，Vds與IDM滿足歐姆定律：VDS = ID · RDS（ON）。因為在Vgs與溫度一定的情況下，RDS（ON）近乎于常數(shù)，因此橙色線看起來像直線。
右邊的藍色斜線表示了不同的單脈沖寬度下，VDS與IDM的關(guān)系。比如當脈沖寬度為10ms時，如果VDS為200V，那么對應(yīng)到藍色斜線上，可以得到IDM大約為1.5A的限制。
四、SOA的測量
使用電壓探頭測量MOS管的VDS電壓，電流探頭測量IDM，如果示波器支持SOA分析功能，就可以進行測試了。
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