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      6. MOSFET正向?qū)?反向?qū)ǖ刃щ娐方榻B
        • 發(fā)布時(shí)間:2022-05-14 19:45:22
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        MOSFET正向?qū)?反向?qū)ǖ刃щ娐方榻B
        功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/div>
        (1):等效電路
        MOSFET 正向?qū)? src=
        (2):說(shuō)明
        功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。
        功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?)
        (1):等效電路(門(mén)極不加控制)
        MOSFET 正向?qū)? src=
        (2):說(shuō)明
        即內(nèi)部二極管的等效電路,可用一電壓降等效,此二極管為MOSFET 的體二極管,多數(shù)情況下,因其特性很差,要避免使用。
        功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?)
        (1):等效電路(門(mén)極加控制)
        MOSFET 正向?qū)? src=
        (2):說(shuō)明
        功率 MOSFET 在門(mén)級(jí)控制下的反向?qū)ǎ部捎靡浑娮璧刃В撾娮枧c溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。
        詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作,是低壓大電流輸出開(kāi)關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。
        功率MOSFET的正向截止等效電路
        (1):等效電路
        MOSFET 正向?qū)? src=
        (2):說(shuō)明
        功率 MOSFET 正向截止時(shí)可用一電容等效,其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān),大小可從制造商的手冊(cè)中獲得。
        功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
        (1):功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線
        MOSFET 正向?qū)? src=
        (2):說(shuō)明
        功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn):
        MOSFET 正向?qū)? src=
        當(dāng)門(mén)極不加控制時(shí),其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。
        (3):穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
        -- 門(mén)極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)VgsVth時(shí),器件處于導(dǎo)通狀態(tài);器件的通態(tài)電阻與Vgs有關(guān),Vgs大,通態(tài)電阻小;多數(shù)器件的Vgs為 12V-15V ,額定值為+-30V;
        -- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來(lái)標(biāo)稱的;只要實(shí)際的漏極電流有效值沒(méi)有超過(guò)其額定值,保證散熱沒(méi)問(wèn)題,則器件就是安全的;
        -- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù),故原理上很容易并聯(lián)擴(kuò)容,但實(shí)際并聯(lián)時(shí),還要考慮驅(qū)動(dòng)的對(duì)稱性和動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題;
        -- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保證漏源通態(tài)電阻很小;
        包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路
        (1):等效電路
        MOSFET 正向?qū)? src=
        (2):說(shuō)明
        實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容,三個(gè)溝道電阻,和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān),而門(mén)極的溝道電阻一般很小,漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。
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