共源共柵結構(cascode structure, CSCG)具有很多特點，在CMOS電路中很常見，以NMOS為例，如圖1.1(a)所示。
共源共柵結構最大的特點就是輸出阻抗大。 共源管下標為1，共柵管下標為2，單個共源管的輸出阻抗為ro1，而共源共柵結構的輸出阻抗近似為gm2ro1ro2。
怎么理解共源共柵結構的輸出阻抗比單個共源管放大了gm2ro2倍？
在圖1.1(c)中，單個共柵管的增益求解如下:
在圖1.1(b)中，輸出阻抗求解過程如下:
由于共源共柵結構的輸出阻抗大這個特點，比單個共源管放大了gm2ro2倍，在高增益的運放中，共源共柵結構經常作為輸入管和輸出負載管以提高電壓增益。
共源共柵管的另一個特點是共源管的源漏電壓vds1對輸出電壓不敏感，當輸出電壓變化Δv時，Δvds1可表示為：
因此，即便共源共柵結構的輸出負載變化很大，只要保證共柵管仍工作在飽和區(qū)且有比較大的電壓增益，共源管的源漏電壓vds1的變化也很小。這一特點使得共源共柵結構經常被應用在電流鏡中。
折疊共源共柵結構
在共源共柵結構，共源管將輸入電壓轉換成電流，該電流作為共柵管的輸入。同類型的晶體管的共源共柵結構串接即可。不同類型管需要外加偏置電流折疊形成，因此折疊共源共柵一定是PN成對地用。
如果想把圖1.1(a)所示的共源共柵結構改成折疊結構，則應把輸入管由NMOS管改成PMOS管，同時增加尾電流源，如圖1.2(a)所示。
尾電流源通過MOS實現，一般的PMOS管作為輸入的折疊共源共柵結構如圖1.2(b)所示，其中尾電流ib=i1+i2。
隨著電源電壓越來越低，在運放中，更經常使用折疊共源共柵結構作為輸入管。折疊共源共柵結構的優(yōu)缺點：輸出擺幅大些，輸入輸出可以短接，較大的功耗，較低的增益，較低的極點頻率，較高的噪聲。
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