利用PMOS設(shè)計一個開關(guān)電路，實現(xiàn)一款設(shè)備的開關(guān)控制。被控設(shè)備12V供電，供電電流小于3A即可。且為了提高響應(yīng)速度，使流過該設(shè)備的電流盡可能的大。該設(shè)備內(nèi)阻大約為6ohm。
產(chǎn)品參數(shù)
VDS-30V
ID-4.2A(VGS=-10V)
RDS(ON)<60mohm(VGS=-10V)
<65mohm(VGS=-4.5V)
<120mohm(VGS=-2.5V)
VGS±12V
等效電路
設(shè)計電路
設(shè)計并調(diào)試好的電路如下圖所示，由于供電電壓和驅(qū)動電壓均可以使用12V，所以采用了如下較為簡單的方案。
如圖所示，Q9 AO3401的柵極（G）通過100k電阻上拉到12V，源級（S）直接連接至12V電源側(cè)，漏極（D）連接到被控設(shè)備，被控設(shè)備兩端并聯(lián)二極管，用于關(guān)斷設(shè)備后，釋放被控設(shè)備上的能量。
在默認(rèn)情況下，Q9 A03401的柵極被拉到12V，此時Vgs=0，PMOS處于截止?fàn)顟B(tài)，被控設(shè)備關(guān)斷。
為了實現(xiàn)對PMOS的控制，后邊增加了一級PNP構(gòu)成的電路，當(dāng)Control_Signal為高電平時，此時Q10 NPN三極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得Q9的柵極拉到GND，此時Q9 AO3401 VGS之間的電壓為-12V，Q9處于導(dǎo)通狀態(tài)。
反之當(dāng)Control_Signal為低電平時，Q10 NPN三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此時Q9的柵極重新被R45拉高到12V電源上，Q9恢復(fù)截止?fàn)顟B(tài)。
控制邏輯如下：
通過以上分析，使用該電路，便利用PMOS實現(xiàn)了一個最基本的負(fù)載開關(guān)功能。
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