傳統的防反保護電路，一般采用的都是PMOS管。
將PMOS的G極接電阻到地（GND），當輸入端連接正向電壓時，電流流過PMOS的體二極管到負載端。
如果正向電壓超過 PMOS的門限閾值，主通道則導通。即PMOS的Vds壓降變低，電流都從主溝道導通，實現了低損耗和低溫升。
傳統PMOS防反保護
我們來看這個電路，MOS的兩端電壓，也就是體二極管壓降電壓，它大于mos管的VGS電壓，mos管導通，這時體二極管被短路，體二極管的壓降電壓不存在了。
R1是LED的分壓限流電阻，導通后LED被點亮，電源正常接入。
當電源反接時，PMOS的GS兩端電壓為正值，MOS管無法導通。
其中Rg是降低NMOS導通時的脈沖電流和分壓。
當GS兩端電壓過高，穩(wěn)壓二極管D就會進入反向擊穿工作模式，在一定反向電流范圍內，反向電壓不會隨反向電流變化。當輸入電壓過高時，穩(wěn)壓二極管D可以避免GS兩端電壓超過額定值損壞MOS管的現象。
這里要注意mos管的體二極管朝向，當體二極管朝向Vin，一旦反接，電流會從GND——體二極管——Vin，這會直接短路，便無法起到防反接的作用。
不過，用PMOS來作防反接電路有三個缺點。
一個是系統待機電流大：
VGS驅動和保護電路會存在暗電流損耗，兩者是由齊納二極管和的限流電阻R組成的，而限流電阻會影響整個待機功耗。 如果這時提高R的取值，穩(wěn)壓管就沒辦法可靠導通，VGS也會存在過壓的風險，并且會影響PMOS的開關速度。
另一個是存在反灌電流：
在輸入電源跌落測試時，PMOS在輸入電壓跌落時依舊保持導通，此時電容電壓會讓電源極性反轉，導致系統電源故障并中斷。
最后就是成本問題：
我們都知道PMOS的成本較高，因此PMOS作防反保護一般適合用于電流超過3A以上的大電流的場景。
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