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DCDC上電時(shí)電壓輸出尖峰電壓介紹
2023-03-30
DCDC上電時(shí)電壓輸出尖峰電壓介紹DCDC上電時(shí)電壓輸出尖峰電壓案例：在使用XL1509-5 0E時(shí)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電源在上電瞬間會(huì)出現(xiàn)一個(gè)上升到 8V的尖峰
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電源回溝現(xiàn)象詳解
2023-03-30
電源回溝現(xiàn)象詳解電源回溝現(xiàn)象電源回溝是由于上電時(shí)序以及負(fù)載等導(dǎo)致的；但是信號(hào)線的回溝是信號(hào)完整性問題。電源回溝上圖所示，正常情況下
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電壓源逆變器的死區(qū)現(xiàn)象介紹
2023-03-29
電壓源逆變器的死區(qū)現(xiàn)象介紹電壓源逆變器的死區(qū)現(xiàn)象為了防止電壓源逆變器的上下開關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通，故在開關(guān)管的切換時(shí)存在一段上下橋臂均關(guān)閉
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PWM死區(qū)簡(jiǎn)介,作用介紹
2023-03-29
PWM死區(qū)簡(jiǎn)介,作用介紹什么是死區(qū)時(shí)間？PWM是脈沖寬度調(diào)制，在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電
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PWM互補(bǔ)輸出,死區(qū)時(shí)間計(jì)算介紹
2023-03-29
PWM互補(bǔ)輸出,死區(qū)時(shí)間計(jì)算介紹死區(qū)時(shí)間計(jì)算方式詳解配置PWM互補(bǔ)輸出的死區(qū)時(shí)間，本質(zhì)上就是在配置TIM1高級(jí)控制定時(shí)器的剎車和死區(qū)寄存器（T
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推挽變換器漏感電壓尖峰詳解
2023-03-28
推挽變換器漏感電壓尖峰詳解推挽，在國(guó)內(nèi)逆變行業(yè)無處沒有它的身影，最多的還是車載逆變器。由于其電路簡(jiǎn)單，功率管數(shù)量少，占用PCB空間也
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DCDC電源負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試介紹
2023-03-28
DCDC電源負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試介紹下圖是某DCDC轉(zhuǎn)換器負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試的典型波形，CH3為輸出電壓的AC分量，CH4為負(fù)載電流。注意到負(fù)載電流上升斜率與下
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解決開關(guān)電路振鈴現(xiàn)象,緩沖器設(shè)計(jì)介紹
2023-03-28
解決開關(guān)電路振鈴現(xiàn)象,緩沖器設(shè)計(jì)介紹在高頻開關(guān)變換器中，處理開關(guān)噪聲是設(shè)計(jì)人員共同面臨的挑戰(zhàn)。特別是高邊場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，低側(cè)MOS
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MOS管應(yīng)用,原邊振鈴控制介紹
2023-03-27
MOS管應(yīng)用,原邊振鈴控制介紹反激電源是最常用的拓?fù)渲弧Ｆ渥儔浩髀└谐?huì)引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會(huì)損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過變
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MOSFET與IGBT的選型要點(diǎn),應(yīng)用解析
2023-03-25
MOSFET與IGBT的選型要點(diǎn),應(yīng)用解析IGBT與MOSFET分析、選型、應(yīng)用MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。
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隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的四個(gè)特性詳解
2023-03-25
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的四個(gè)特性詳解在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT、MOSFET經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主
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雙極性方法驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器圖文介紹
2023-03-25
雙極性方法驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器圖文介紹如果一個(gè)特殊的功率器件需要正負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)，電路設(shè)計(jì)人員無需特別尋找可進(jìn)行雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。