您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機訪問
掃一掃訪問手機網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
-
MOS管驅(qū)動電路-MOS管驅(qū)動電路設(shè)計與注意事項
2020-11-21
MOS管驅(qū)動電路-MOS管驅(qū)動電路設(shè)計與注意事項MOS管驅(qū)動電路設(shè)計MOS管電子產(chǎn)品生產(chǎn)中不可或缺的重要保護器件，在手機、筆記本電腦、藍牙耳機
-
MOS管SOA分析-詳解MOS管燒壞原因SOA的具體解析
2020-11-21
MOS管SOA分析-詳解MOS管燒壞原因SOA的具體解析MOS管SOA分析板子上的功率mos管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計者最擔(dān)心的問題。炸機、用著用著就
-
MOS管選型規(guī)范- MOS管選型規(guī)范的六個原則介紹
2020-11-20
MOS管選型規(guī)范- MOS管選型規(guī)范的六個原則介紹MOS管選型規(guī)范原則有六個必知負(fù)載電流IL--它直接決定于MOSFET的輸出能力；輸入-輸出電壓&ndas
-
MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因與解決方案
2020-11-20
MOSFET擊穿電壓-MOS管擊穿特性原因與解決方案MOSFET擊穿電壓有哪幾種場效應(yīng)管的三極:源級（Source）S、漏級（Drain）D、柵級（Gate）G(這里
-
開關(guān)MOS管-開關(guān)MOS管的工作原因與詳解分析
2020-11-20
開關(guān)MOS管-開關(guān)MOS管的工作原因與詳解分析開關(guān)MOS管的工作原理一、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型
-
場效應(yīng)管知識概述-場效應(yīng)管應(yīng)用的四大點詳情解析
2020-11-20
場效應(yīng)管知識概述-場效應(yīng)管應(yīng)用的四大點詳情解析場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不
-
場效應(yīng)管的參數(shù)與作用、使用優(yōu)勢解析
2020-11-20
場效應(yīng)管的參數(shù)與作用、使用優(yōu)勢解析直流參數(shù)場效應(yīng)管的參數(shù)，飽和漏極電流IDSS它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的
-
場效應(yīng)管知識-場效應(yīng)管代換原則和好壞判斷特點
2020-11-20
場效應(yīng)管知識-場效應(yīng)管代換原則和好壞判斷特點場效應(yīng)管代換原則與好壞判斷一、定性判斷MOS型場效應(yīng)管的好壞場效應(yīng)管代換原則與好壞判斷詳解
-
場效應(yīng)管調(diào)光-常見調(diào)光方式比較與雙按場效應(yīng)管調(diào)光燈電路
2020-11-20
場效應(yīng)管調(diào)光-常見調(diào)光方式比較與雙按場效應(yīng)管調(diào)光燈電路場效應(yīng)管調(diào)光-幾種常見調(diào)光方式的比較隨著科技的發(fā)展，越來越多的事情可以在手機上
-
MOS管識別與MOS管及IGBT管的辨別
2020-11-19
MOS管識別與MOS管及IGBT管的辨別MOSFET類型識別小結(jié)1）P溝道與N溝道的識別。MOS管識別，MOSFET在導(dǎo)通時，傳輸電流的層為P溝道的，則為P溝道
-
增強型絕緣柵場效應(yīng)管工作原理和耗盡型MOS場效應(yīng)管
2020-11-19
增強型絕緣柵場效應(yīng)管工作原理和耗盡型MOS場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)晶體管工作原理和特性增強型絕緣柵場效應(yīng)管，場效應(yīng)管(MOSFET)是一種外形與
-
MOS管驅(qū)動設(shè)計和電路布線設(shè)計
2020-11-19
MOS管驅(qū)動設(shè)計和電路布線設(shè)計MOS管驅(qū)動設(shè)計細節(jié)MOS管驅(qū)動設(shè)計，一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G S兩級之間有